型号 | SI7232DN-T1-GE3 |
厂商 | Vishay Siliconix |
描述 | MOSFET N-CH D-S 20V 1212-8 PPAK |
SI7232DN-T1-GE3 PDF | |
代理商 | SI7232DN-T1-GE3 |
标准包装 | 3,000 |
系列 | TrenchFET® |
FET 型 | 2 个 N 沟道(双) |
FET 特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 25A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 16.4 毫欧 @ 10A,4.5V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 1V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 32nC @ 8V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 1220pF @ 10V |
功率 - 最大 | 23W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | PowerPAK? 1212-8 |
供应商设备封装 | PowerPAK? 1212-8 |
包装 | 带卷 (TR) |
其它名称 | SI7232DN-T1-GE3TR |